מוצרים

חקרנו אלקטרודת סרט ננו-פחמן המסוממת בחנקן עם ריכוז חנקן נמוך מ-10.9 אט% שנוצרה בשיטת הקזת המגנטרון הלא מאוזנת (UBM).תכולת ה-sp(3) בסרט הננו-פחמן המקרטעת UBM המסומם בחנקן (סרט N-UBM) עולה מעט עם הגדלת ריכוז החנקן.הקשר דמוי הגרפיט המכיל חנקן פוחת והקשר דמוי פירידין עולה עם הגדלת ריכוז החנקן.לסרט N-UBM יש משטח חלק מאוד עם חספוס ממוצע של 0.1 עד 0.3 ננומטר, שהוא כמעט בלתי תלוי בריכוז החנקן.אלקטרודת הסרט N-UBM מציגה חלון פוטנציאל רחב יותר (4.1 V) מאלקטרודת סרט UBM טהורה (3.9 V) בשל עלייה קלה שלה בתכולת sp(3).הפעילות האלקטרוקטליטית גדלה עם הגדלת ריכוז החנקן, מה שמרמז שהאלקטרואקטיביות היא מקסימלית כאשר ריכוז החנקן הוא בסביבות 10.9 אט%, מה שאושר על ידי הפרדת שיא של Fe(CN)6(4-).פוטנציאל ההפחתה של מי חמצן (H2O2) באלקטרודת הסרט N-UBM זזו בערך ב-0.1 וולט, וזרם השיא של H2O2 עלה בערך פי 4.